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    等离子去胶

    简要描述:等离子去胶工艺拥有低污染颗粒,低成本大规模量产,高均匀性与高可复制性等工艺特征。

    • 产品型号:
    • 厂商性质:代理商
    • 更新时间:2022-01-24
    • 访  问  量: 69

    详细介绍

    boffotto 宝丰堂自主研发设计生产的先进干法去胶、掩膜蚀刻系列产品,可用于大批量去胶与大剂量离子注入后去胶,同时还可用于各种硬掩膜层干法蚀刻。

    等离子去胶工艺拥有低污染颗粒,低成本大规模量产,高均匀性与高可复制性等工艺特征。采用高度模块化设计,为广大客户提供多样灵活配置方案,满足不同的先进制程要求。
     
    等离子去胶应用领域:
    1、LDI后光刻胶去除;
    2、光刻胶、聚合物去除(灰化);
    3、大剂量离子注入后光刻胶去除;
    4、二氧化硅、氮化硅、氮化钛掩膜蚀刻;
    5、碳化硅、氮化镓、钽酸锂、磷化铟材料工艺;
    6、射频滤波器BAW,SAW生产工艺中光刻胶去除;
    7、MEMS应用、晶圆级封装(PR、PI、BCB、PBO)。
     

     

     

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